集成运算放大器:制造工艺对其性能影响
运算放大器的结构形式主要有三种：模块、混合电路和单片集成电路。对于设计工程师来说，不仅是要知道所用产品的型号，而且还应熟悉生产这些产品的工艺，从而能够从一类放大器中选出一种放大器做特定的应用。表1 给出了各种运算放大器结构的性能情况。
<P align=left> 模块 </P>
<P> 目前使用几种工艺生产运算放大器，性能最高的放大器是以模块的形式由分立元件构成的。因为使用分立元件，所以可选用像高压输出晶体管、超低电流的FET管以及阻值很高的电阻等等这类专门制作的元件。在模块的设计中，在电气测试时（密封之前）通过对直流参数（比如失调电压）或交流参数（比如建立时间）进行细调的方法来选择电阻和电容是可能的。 </P>
<P> 模块工艺的缺点是实际的尺寸较大和价格高。由于每个模块都是单独构成的，大量加工制造是不现实的，并且制造成本相对地也是很高的，但是对于那些对性能有极高级别要求的特殊应用来说，由于模块运算放大器的规范由生产厂来保证，所以它们还是有吸引力的。模块运算放大器包括斩波稳定放大器、可变电抗静电计放大器和宽带高速放大器。 </P>
<P> 斩波稳定放大器 </P>
<P> 当需要放大（或缩小）电平极低的电压信号时，要使用斩波放大器。斩波放大器的内部是交流耦合的--有效的差动输入信号被斩波成方波，这个方波被解调和放大。交流耦合消除了许多与运放有关的误差，因此失调和漂移极低。斩波放大器的主要性能指标: <BR>低失调电压 10 A <BR>低失调漂移 0.1 V/℃ <BR>长期稳定性 1 V/年 <BR>高开环增益 107V/V <BR>低温升漂移 3 V <BR>静电计放大器 </P>
<P> 当需要尽可能高的输入阻抗和最低的偏置电流时，要使用静电计放大器。静电计放大器内部也是交流耦合的，输入信号被加到包括低漏流的变容二极管（电压可变电容）的电桥上，该电桥由高频载波信号所激励。输入电压引起电桥的不平衡，合成的交流误差信号被交流耦合到下一级，在那里被同步解调和放大。使用低漏流可变电容产生的输入电流低至10fA（1fA=10-15A），获得这样的低电流是以较高的失调电压为代价的。 </P>
<P> 高速放大器 </P>
<P> 用模块的形式可以很容易地构成高速放大器，集成电路结构的许多限制在这里不适用。例如，集成电路放大器由生产厂制作工艺造成的晶体管缺陷而引起的速度限制就不存在，模块的设计就可以使用具有所要求频响的经挑选的晶体管，由于许多宽带放大器被用在驱动75 负载的视频领域，所以必须提供大的输出电流。 </P>
<P> 对于这样输出特性所要求的功率，靠模快的较大热媒质来耗散要容易得多。超高速放大器性能如下： <BR>快的建立时间 100ns(到0.01%) <BR>转换速率 1000V/ s <BR>全功率带宽 10MHz <BR>输出电流 10mA <BR>混合放大器 </P>
<P> 很多与模块结构同样的好处也适用于混合放大器，和模块的情形一样，可以把单一封装里用不同的（以及不相容的）工艺制作的元件组合起来，混合结构超过模块结构的优点是有较小的尺寸和较低的成本。通常把混合工艺应用于运算放大器是为了改善偏置电流、输出驱动能力或有超过单片或分立设计器件的带宽。 <BR>混合FET输入运算放大器： <BR>低偏置电流 达75fA <BR>低失调电压 达0.25mV <BR>低漂移 达3 V/℃ <BR>适中的成本 5~10美元的范围内 </P>
<P> 直至最近，多数由精密匹配的FET差动放大器组成的FET输入放大器被单片运算放大器所取代，尽管现在能够用双极兼容工艺制造结型场效应管，但最高精度的JFET输入运放仍旧用混合工艺技术制成。尽管能够购买一对分立的低漏流的FET管，并把741运放接在这一级的后面，但通常由混合单元可以获得更好的性能。例如，混合电路的规范由生产厂来保证并测试，任何需要的调整一般也由生产厂来完成，当然，一块封装好的混合放大器不比741占据更多的空间，而性能上却呈现数量级的增长。 </P>
<P> 宽带混合放大器 <BR>●可以在较小的封装里进行成对的模块设计在芯片形式上使用分立晶体管 <BR>●适用于视频应用 </P>
<P> 混合工艺也允许放大器由一批分立的高频晶体管构成，实际上，在采用与模块一样元件的混合形式中，使模块放大器电路成对也是可能的，但要采用未封装的芯片的形式。模拟器件公司的计算机实验室生产了各种各样的适合于视频应用的宽带混合放大器。</P>
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