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内容摘要：
温度对微弧氧化的影响 微弧氧化与阳极氧化不同，低电压微弧氧化技术，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，PEO技术微弧氧化，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化技术，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源
微弧氧化 在微弧氧化过程中，化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在，因此陶瓷层的形成过程非常复杂，至今还没有一个合理的模型能全描述陶瓷层的形成。微弧氧化工艺将工作区域由普通阳极氧化的法拉第区域引入到高压放电区域，克服了硬质阳极氧化的缺陷，极大地提高了膜层的综合性能。微弧氧化膜层与基体结合牢固，结构致密，韧性高，微弧氧化技术实验，具有良好的、耐腐蚀、耐高温......
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