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压敏电阻（Voltage Dependent Resistor， VDR）的工作原理主要基于其内部的半导体材料对电场的非线性响应。这种电阻器的电阻值会随着外加电压的变化而发生显著的非线性变化。具体来说，当外加电压较低时，7d压敏电阻，压敏电阻的电阻值相对较大，电流通过时受到的阻碍也较大。然而，当外加电压增加到一定程度（即达到压敏电阻的阈值电压）时，其内部的半导体材料会发生雪崩击穿效应或齐纳击穿效应（具体取决于材料的类型和结构），导致电阻值急剧下降，电流迅速增加。这种非线性变化使得压敏电阻能够有效地限制过电压，保护后续电路不受损害。在雪崩击穿效应中，当外加电压足够高时，半导体材料中的载流子（电子和空穴）会被加速并碰撞产生更多的载流子，形成雪崩倍增效应，导致电阻值迅速下降。 氧化锌压敏电阻介绍氧化锌压敏电阻是一种特殊的可变电阻，......
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