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内容摘要：
下边是MOS无效的六大缘故：1：山崩无效（工作电压无效），也就是人们常说的漏源间的BVdss工作电压超出MOSFET的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致MOSFET无效。2：SOA无效（电流量无效），既超过MOSFET安全工作区造成无效，分成Id超过器件规格型号无效及其Id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。3：体二极管无效：在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，因为体二极管遭到影响而导致的无效。4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。5：静电感应无效：在冬秋时节，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。 MOS管FET栅源保护：1）避免 栅极 di/dt 过高因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅......
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