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内容摘要：
70至80年代初，人们将现代半导体微集成加工技术与功率半导体技术进行结合，相继开发出一大批全控电力电子半导体器件 （GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），为全固态超音频、高频电源的研制打下了坚实的基础。 在高频 （100kHz以上）频段，目前国外正处在从传统的电子管电源向晶体管化全固态电源的过渡阶段。日本某些公司采用SIT，电源水平在80年代末达到了1000kW、200kHz， 400kW、400kHz。 而在欧美，由于SIT存在高通态损耗 （SIT工作于非饱和区）等缺陷，其高频功率器件以MOSFET为主。随着MOSFET功率器件的模块化、大容量化， MOSFET高频感应加热电源的容量得到了飞速发展。西班牙采用MOSFET的电流型感应加热电源制造水平达600kW、400kHz，德国在1989年研制的电流型MOSFET感应加热电源水平达480kW、50～200kHz，比利时......
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