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内容摘要：
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闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入级浮空栅。
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