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内容摘要：
以碳化硅（SiC）和III族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。其中SiC材料体系中的4H-SiC半导体，uv紫外传感器批发，其禁带宽度为3.23 eV，嘉兴uv紫外传感器，是制备可见光盲紫外探测器（响应......
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