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内容摘要：
器件选择 3．1整流二极管D1 由于是半波整流，因此要选反向击穿电压较高的二极管，如 1N4007的反向击穿电压≥1000V，变频多联机，同时要根据工作电流选取二 极管的功率。 3．2光耦IC1、IC2、IC20、IC21 光耦的选型要根据通信的速率考虑光耦的开通拖时和关断拖时（尤其要考虑高温时光耦的拖时会加大），如通信波特率为 600bps，即每位数据的宽度约为1666μs，则光耦的开通拖时或关断拖时不能超过80μs；由于外界干扰的作用，会在发送 光耦的输出端感应出较高的电压，因此发送光耦还要选用耐压内外机的通 较高的型号（同理，电容C2、C20也要选用耐压较高的型号）。如光耦PC851的集电极－发射极耐压为300V，麦克维尔变频多联机直销，开通拖时和关断拖时大为12μs；另光耦PC817的集电极－发射极耐压为35V，开通拖时和关断拖时大为18μs，作为信号接收光耦。 深......
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