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企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
多晶硅电池组件回收单晶硅电池组件回收实验板电池组件回收光刻 采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为 50 nm 、 80 nm。因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够。这样，回收不良电池片硅片，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金再用铬、 金作掩模腐蚀 SiO2。流程和去银行类似，用户材料去营业厅办理即可，现在许多供电营业厅设有专门的窗口。 SiO2 腐蚀液配为 HF： NH4F： H20=1： 2： 3，湖北不良电池片硅片， 腐蚀时间约 10 min 。这种双层掩模光刻法腐蚀出的 SiO2 层图形边缘平整、无锯齿。后去胶，将 SiO2 层残留的铬、金完全腐蚀掉。硅腐蚀将已定域腐蚀 SiO2 层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为：异丙醇：水 =1： 2： 2。在 78℃下腐蚀。电池板,......
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