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内容摘要：
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，佳木斯两酸抛光，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，两酸抛光剂，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。 1、本抛光液在其使用初期会产生泡沫，因此抛光液液面与抛光槽顶部之间的距离不应≥15cm；2、 不锈钢工件在进入抛光槽之前应尽可能将残留在工件表面......
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