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内容摘要：
含硅光刻胶为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，负性光刻胶生产厂家，含Si的树脂等以上就是关于光刻胶的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的热线电话！ 光刻胶的性能赛米莱德生产、销售光刻胶，以下信息由赛米莱德为您提供。光刻胶产品种类多、性强，海南负性光刻胶，是......
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