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内容摘要：
光刻胶的主要技术参数1．灵敏度（Sensitivity）灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution）区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。光刻胶的分辨率是一个综合指标，NR7 6000P光刻胶厂家，影响该指标的因素通常有如下3个方面：(1) 曝光系统的分辨率。(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。 想了解更多关于光刻胶的相关资讯，请持续关注本公司。 光刻胶的参数是什么？分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的技术参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越......
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