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内容摘要：
光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序：一、清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，NR9 3000PY光刻胶多少钱，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，NR9 3000PY光刻胶，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面......
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