|
内容摘要：
光刻胶工艺主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的程度决定了半导体制造工艺的程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的设备。目前，ASML 的NXE3400B售价在一亿欧元以上，媲美一架F35 战斗机。按曝光波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较......
如想进一步了解更多产品内容，可以直接给厂家发送询价表单咨询:
|
|
联系方式
 电话： 010-63332310 手机：15201255285
 传真： 010-63332310
 地址： 北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208
 发布IP： （IP所在地：）
|