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内容摘要：
cems烟气监测半导体光催化氧化法在继Fujishima等有关TiO2单晶电 极上光解水的 报道之后，1 9 7 7 年F r a n k 等人利用半导体材对污染物进行光催化降解取得了突破性的进展，从此半导体多相光催化作为一个崭新的领域得了深入而广泛的研究。其中TiO2由于具有抗化学 和光腐蚀、性能稳定、无毒、催化活性高、廉等优点而受重视和具有广阔的应用前景。半导体的能带结构是不连续的，充满电子的价带 ( V B )和空的导带 ( C B )之间由禁带隔开。在p H为1 时的带隙是3 .2 e V 。 用光照射半导体光催化剂时，当光子能量高于半导体的禁带度，半导体的价带电子发生带间跃迁，即从价带跃迁到导带，从而产生光生空穴和电子;这些生空穴和电 子具有很强的氧化和还原能力，可以将吸附到光催化剂表面的污染物降解为无无害的无机小分子化合物，无二次污染问题。
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