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内容摘要:
基于霍尔效应的位置传感器霍尔效应指出,当一个薄的平面电导体有电流流过并置于磁场中时,磁场会对电荷载流子产生冲击,迫使电荷载流子相对聚集在导体的一侧,以平衡磁场的干扰。这种电荷的不平等分布导致导体两边之间产生电位差,上海膜厚测量,称为霍尔电压。如果导体中的电流保持恒定值,霍尔电压的大小将直接反映磁场的强度。基于霍尔效应的位置传感器,被测量其位置的物体与装在传感器轴上的磁铁相连。当物体移动时,磁铁的位置相对于传感器中的霍尔元件发生变化,膜厚测量设备,由此会改变施加在霍尔元件上的磁场强度,这反过来又会反映为被测霍尔电压的变化。因此,膜厚测量厂家,测量到的霍尔电压就成为物体位置的指标。 电感式位置传感器在LVDT中的应用电感式位置传感器通过传感器线圈中感应的磁场特性的变化来检测物体的位置,其中一种类型称为LVDT,或线性可变差分变压器。在LVDT位置传感器中,三个独立的线圈被绕在一个空心管......
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