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内容摘要：
与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：1、高压特性碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。2、高频特性3、高温特性在硅材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，黑碳化硅磨具磨料，相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及......
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