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企业视频展播,请点击播放视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司
当我们细看高电压(600V)超高速沟道IGBT的开关性能,便会知道这些器件为20kHz的开关频率进行了优化。这使设计在相关的频率下能够保持的开关损耗,包括集电极到发射极的饱和电压Vce(on)及总开关能量ETS。结果,总通态和开关功率损耗便可以维持在低的水平。根据这一点,我们选择了超高速沟道IGBT,例如,IRGB4062DPBF作为高侧功率器件。这种超高速构道IGBT与一个超高速软恢复二极管采用协同封装,进一步确保低开关耗损。此外,这些IGBT不用要求短路额定值,因为当逆变器的输出出现短路时,输出电感器L1和L2会限制电流di/dt,从而给予控制器足够的时间做出适当的回应。还有,与同样尺寸的非短路额定IGBT比较,短路额定IGBT提供更高的Vce(on)和ETS。由于拥有更高的Vce(on)和ETS,短路额定IGBT会......
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