|
内容摘要：
企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
用于升压级的开关和二极管在旧有NPT平面技术的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件FGL40N120AND，具有43uJ/A的EOFF ，比较采用更技术器件的EOFF为80uJ/A，但要获得这种性能却非常困难。FGL40N120AND器件的缺点在于饱和压降VCE(SAT) (3.0V 相对于125oC的 2.1V) 较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已足以弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，在启动期间或瞬变情况下，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于IGBT本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管来保证可靠的工作。对升压二极管，需要Stealth 或碳硅二极管这样的恢复二极管。碳硅二极管具有很低的正向......
如想进一步了解更多产品内容，可以直接给厂家发送询价表单咨询:
|
|
联系方式
 电话： 1519-0025037 手机：15190025037
 传真： 1519-0025037
 地址： 苏州市吴中区国家环保产业园
 发布IP： （IP所在地：）
|