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企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
用于桥接和开关和二极管另一个值得探讨的选择是采用FGH30N60LSD器件。它是一颗饱和电压VCE(SAT) 只有1.1V的30A/600V IGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大。因此，这种IGBT可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。FGH30N60LSD IGBT在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。IGBT在这里被用作拓扑开关。在较的转换时则使用常规及恢复超结器件。对于1200V的拓扑及全桥结构，前面提到的FGL40N120AND是非常适......
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