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企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的性，这些功率器件也经过钳位电感负载测试。与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，张家口组件，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.......
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