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内容摘要：
半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座，亳州半导体氧化设备， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。 使用过程产品: AquaVantage 815 GD浓度: 10%温度: 131-140°F (55°C)设备: 2 套单独的清洗流程， 200L 超声波设备， 4000L 浸没设备。冲洗: 3 个阶段: 自来水， 去离子水以及终的去离子水. 所有的冲洗需要在接近 22 – 25°C的环境进行.通过一个闭环去离子水系统(水通过去离子水床的连续循环)，终的冲洗被控制在至少4兆欧姆的电阻率。结论: 具有持续良好的清洁能......
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