扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。 扩散炉技术指标： 可处理硅片尺寸：2—12英寸 外型形式：卧式1—4管结构 工作温度：200℃—1300℃ 恒温区长度及精度：
