满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积SiO2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。 CVD系统性能特点： 结构形式：1—4管卧式热壁型 硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片) 温度范围：300～1100℃ 恒温区长度及精度：
