用途： 主要用于各大高校、硅材料实验室、及微电子对半导体6寸及以下硅片的高温扩散、氧化（湿氧）、退火、烧结合金工艺的教学和实验工作。 1.1、工作温度：400-1300℃ 1.2、恒温区长度及精度： 300mm /±0.5℃（可选） 1.3、炉管数：一、二、三、四管（可选） 1.4、适应硅片尺寸： 6寸及向下兼容 1.5、送取片方式：自动或手动（可选）
