【MOS管5N65的基本参数】 漏源电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：±30V 连续漏极电流（ID）：5.0A 脉冲漏极电流（IDM）：10A 零栅极电压漏极电流（IDSS）：10μA 栅极阈值电压（VGS (th)）：3.0V 导通电阻（RDS (on)）：1.92Ω@ 10V 二极管正向电压（Vsd）：1.4V 输入电容（Ciss）：约 623pF 功率损耗（P
