从电路的角度来考虑感应加热电源的大容量化,可将大容量化技术分为两大类:一类是器件的串、并联;另一类是多桥或多台电源的串、并联。在器件的串、并联方式中,必须认真处理串联器件的均压问题和并联器件的均流问题,由于器件制造工艺和参数的离散性,限制了器件的串、并联数目,且串、并联数越多,装置的可靠性越差。多台电源的串、并联技术是在器件串、并联技术基础上进一步再容量化的有效手段,借助于可靠的电源串、并联技术,在单机容量适当的情况下,可简单地通过串、并联运行方式得到大容量装置,中频感应电炉,每台单机只是装置的一个单元 (或一个模块)。 感应加热电源逆变器主要有并联逆变器和串联逆变器,串联逆变器输出可等效为一低阻抗的电压源,当两电压源并联时,相互间的幅值、相位和频率不同或波动时将导致很大的环流,以至逆变器件的电流产生严重不均,因此,串联逆变器存在并机扩容困难;而对并联逆变器,逆变器输入端的直流大电抗器可充当各并联逆变器之间的电流缓冲环节,使得输入端的AG/DG或DG/DG环节有足够的时间来纠正直流电流的偏差,达到多机并联扩容,晶体管化超音频、高频电流多采用并联逆变器结构,并联逆变器易于模块化、大容量化是其中的一个主要原因。 高频感应加热设备磁场的有关定律当交流的电流流过导体的时候,会在导体中产生感应电流,从而导致电流向导体表面扩散。也就是导体表面的电流密度会大于中心的电流密度。这也就无形中减少了导体的导电截面,从而增加了导体交流电阻,损耗增大。工程上规定从导体表面到电流密度为导体表面的1/e=0.368的距离δ为集肤深度。型号 JJ-20KW 输入电压 单相220V 输出振荡功率 20KVA 输出振荡频率 30-100KHZ 输出功率 20KVA冷却水压流量 0.2Mpa 加热保温电流 100-1000A 暂载率 80% 加热时间 1-99s(自动状态) 保温时间 1-99s(自动状态) 水温 <40°C 重量 30kg 体积 47*21*40 (单位:CM)。高频感应加热用于透热主要在锻造、热冲压、热轧、挤压和弯管的加热和退火等。感应加热过程可以使整个工件表面和内部温度趋于相等,高频加热设备厂家加热、速度快,能够减少金属的烧损,便于控制温度,保证加热质量,容易组成自动生产线的优势,中频电炉厂家,得到越来越广泛的应用。70至80年代初,人们将现代半导体微集成加工技术与功率半导体技术进行结合,相继开发出一大批全控电力电子半导体器件 (GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等),超音频感应电炉,为全固态超音频、高频电源的研制打下了坚实的基础。 在高频 (100kHz以上)频段,目前国外正处在从传统的电子管电源向晶体管化全固态电源的过渡阶段。日本某些公司采用SIT,电源水平在80年代末达到了1000kW、200kHz, 400kW、400kHz。 而在欧美,西藏电炉,由于SIT存在高通态损耗 (SIT工作于非饱和区)等缺陷,其高频功率器件以MOSFET为主。随着MOSFET功率器件的模块化、大容量化, MOSFET高频感应加热电源的容量得到了飞速发展。西班牙采用MOSFET的电流型感应加热电源制造水平达600kW、400kHz,德国在1989年研制的电流型MOSFET感应加热电源水平达480kW、50~200kHz,比利时I nductoEiphiac公司生产的电流型MOSFET感应加热电源水平可达1000kW、15~600kHz。浙江大学在 90年代研制出 20kW、300kHz MOSFET高频电源,已被成功应用于小型刀具的表面热处理和飞机涡轮叶片的热应力考核。 目前,感应加热电源在中频频段主要采用晶闸管,超音频频段主要采用IGBT,而在高频频段,由于SIT存在高导通损耗等缺陷,国际上主要发展MOSFET电源。感应加热电源虽采用谐振逆变器,有利于功率器件实现软开关,但是感应加热电源通常功率较大,对功率器件、无源器件、电缆、布线、接地和屏蔽等均有许多特殊要求。因此,实现感应加热电源高频化仍有许多应用基础技术需要进一步探讨,特别是新型高频大功率器件 (如MCT、IGBT及SIT功率器件等)的问世,将进一步促进高频感应加热电源的发展。 产品:精诚机电供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单