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首先是硅提纯 晶圆回收,将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中 L84E晶圆回收,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅,这对微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此对冶金级硅进行金一步提纯:将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺 HTX5晶圆回收,得到了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。
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大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
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由于离心力的作用,光刻胶在基片表面均匀地展开 HTX4晶圆回收,多余的光刻胶被甩掉,获得一定厚度的光刻胶膜,光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶,是对光、电子束或X线等敏感,具有在显影液中溶解性的性质,同时具有耐腐蚀性的材料。
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