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L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
一般说来,正型胶的分辨率高,而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辨率 GVG5晶圆回收,清晰度) GXH2晶圆回收,以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定 晶圆回收,因此有良好的光刻胶,还要有好的曝光系统。
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CVD 法有外延生长法、HCVD EGZ9晶圆回收, PECVD 等。PVD 有溅射法和真空蒸发法。一般而言, PVD 温度低,没有毒气问题; CVD 温度高,需达到1000 oC 以上将气体解离,来产生化学作用。PVD 沉积到材料表面的附着力较CVD 差一些, PVD 适用于在光电产业,而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD 来沉积,而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD 技术。
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