碲化镉(cadmium ?telluride)由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。 碲化镉的物理性质碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密
