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由于离心力的作用，光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉 EGZ9晶圆回收，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶 EEU3晶圆回收，是对光、电子束或X线等敏感，具有在显影液中溶解性的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。
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到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以 GVG5晶圆回收，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。
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