蓝宝石衬底上典型的UV-LED外延结构图。与GaN基蓝光LED相比，深紫外LED的研制面临着许多的技术困难，如：高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难，一般而言，Al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109cm-2—1010cm-2乃至更高； AlGaN材料的掺杂与GaN相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，随着Al组分的增加，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-AlGaN的掺杂尤为棘手，
