根据玻璃钝化膜的不同特性、半导体器件芯片的不同厚度、划切线宽度、裂片难易程度，在20-35A 间选择合适大小的电流、在30-100mm/S 范围内选择合适的划切速度、在30%-90% 之间选择合适的激光功率；i、激光系统调整后或更换晶片批次时应对划出的产品实施首检，用高倍显微镜检验划痕的表面情况，划痕呈现平直，划痕两侧无玻璃裂纹为合格，光学玻璃，用高倍显微镜检查划切深度，划切深度是在硅表面以下0-
