磁控溅射镀膜机由于ITO 薄膜的导电属于n 型半导体性质，即其导电机制为还原态In2O3 放出两个电子，成为氧空穴载流子和In3 + ，被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然，不论哪一种导电机制，载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。随着氧含量的增加，当膜的组分接近化学配比时，迁移率有所增加，但却使载流子密度有所减少。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化
