压力传感器这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。压力传感器在P型硅中，海北压力传感器厂家，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。 压力传感器压差传感器可确
