?助熔剂法是利用助熔剂使晶体形成温度较低的饱和熔体，通过缓慢冷却或在恒定温度下通过蒸发熔剂，使熔体过饱和而结晶的方法。氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。 氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5
