使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗（2-3次） 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬PP或PE材料，首先使用 碱液清洗后再使用盐酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规化学品处理，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触化学品时，两酸抛光剂，必须阅读、理解和遵循MSDS上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。
多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，两酸抛光，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，两酸抛光 公司，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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