台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC
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台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，二极管，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。
台湾ASEMI低压降肖特基二极管SB30100LFCT
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台湾ASEMI低压降肖特基二极管SB30100LFCT，SBT40100VDC二极管，其电性参数为30A，100V，封装为：ITO-220AB封装，芯片采用2个94MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，产品本体采用的是镭射印字，不易退色；黑胶部分材质为进口环氧塑脂材料，PS1545L二极管，包封稳定性强，其引脚采用的是进口的无氧铜材料，抗弯曲性强、高导电性好。
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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，速度快，有效防止浪涌，PS2060L二极管，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向恢复时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.
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产品：ASEMI
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单