MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI,正向电流:30A,反向耐压:200V,正向压降:0.92V,反向电流:0.5uA,反向恢复时间:<5ns,封装:TO-247/3P。




强元芯从技术和生产原料两方面入收,严把质量关,通过改良持术,提高用户产品体验,更通过保证入库物料产量,无一不是为提高产量努力。自2008年起,ASEMI整流桥产品创造了无不良率的,贴片肖特基二极管,受到客户一致认同。
ASEMI低压降肖特基二极管20V45
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ASEMI低压降肖特基二极管20V45 电性参数:20A; 45V~100vV。其实顾名思义低压降肖特基二极管就是具备有更低的压降(VF值),功率器件的压降值一直是重点参数,因为更低压降值的优势能体现在更低的能量损耗。减少无效能耗,提升电源产品的整体转化效率,电源更节能,也是更符合当今行业的发展趋势。




ASEMI低压降肖特基二极管20V45广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。
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SB30100LCT低压降肖特基二极管,台湾ASEMI,它的封装是TO-220,电性参数:30A,滨州肖特基二极管,100V,肖特基二极管型号,芯片材质:SI,肖特基二极管应用,正向电流:30A,芯片个数:2,正向电:0.66V,芯片尺寸94MIL,浪涌电流Ifsm:200A;漏电流小于等于10UA,工作温度问-40~170℃,恢复时间(Trr):<5nS,引线数量:3。ASEMISB30100LCT在电子市场研发趋势凸显,主要原因是芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片,保障了产品的!




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