金属的化学抛光，常用、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、硫酸混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，两酸抛光厂家，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，淮安两酸抛光，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
机械抛光：
机械抛光一般是将工件压向预先涂有抛光膏(剂)的转动布轮或其他弹性轮子上的操作.其实质是用抛光轮来平复磨光后的制件表面上极微小的不平处.铝型材通过机械抛光可得到似镜而般的表面，其泽色随所用抛光膏不同而变化，其外观问抛光者技术有关.电解抛光是将工件作为阳极，两酸抛光哪家好，在电解过程中，工件突出的部位溶解速度大于低凹处，两酸抛光工艺，随着抛光的进行，工件表面的微观及宏观的凸凹部分得以整平.这一过程能改善金属表面的显微几何形状，降低金属表面的显微粗糙程度，铝型材使零件表面变得光亮.
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