化学抛光的优缺点：
1：优点： 操作简便、，无需仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示组织，抛光结束之后可以观察组织，不需再做侵蚀显示。
2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响
CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
铝及铝合金产品因具有特殊的性质，因此应用相当广泛，三酸抛光，在五金市场中占有极其重要的地位，三酸抛光厂家，铝制品在表面处理中要进行抛光，这不仅使铝制品的外观具有光亮的外表，而且均匀光滑的表面可以分散降低腐蚀介质的吸附，提高抗蚀性能。对于一般要求不很高的产品一般采用化学抛光，这样既能节省劳力又能节省电，但是目前采用的化学抛光液中含有造成对环境的污染，三酸抛光工艺，为了化学抛光处理过程对环境造成的污染和对人体造成的危害问题，特对传统的化学抛光进行了改良，生产出来了无黄烟化学铝合金抛光光亮剂。
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