LV64系列(ABS/AS/PS/PC/亚克力/PETG)金属喷涂面UVLED(紫外LED)由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和阱层，但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，
