PR1-1500A1NR73G 6000P光刻胶
正性光刻胶的金属剥离技术
正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外,它还具有图形边缘陡直, 去胶容易等性能,比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件,并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差,这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸,对曝光时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程,NR73G 6000P光刻胶多少钱,胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。

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光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,NR73G 6000P光刻胶,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其干燥,增粘处理(涂底): 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,NR73G 6000P光刻胶公司,Si-OH, 表面有,亲水性,NR73G 6000P光刻胶报价,使用HMDS (H2C)6Si2NH 涂覆,熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,与光刻胶相亲。
光刻胶运输标识及注意事项
标签上标明的意思
R标识
R10 YI燃。
S标识
S16远离火源-禁止吸烟。
S 24避免接触皮肤。
S 33对静电放电采取预防措施。
S 9将容器保持在通风良好的地方。

水生毒性
通过自然环境中的化学、光化学和微生物降解来分解。一般不通过水解降解。300 ppm对水生生物是安全的。卤化反应可能发生在水环境中。
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交货说明:按订单