激光打标机
关于光纤激光打标机两大防止
防止光纤折断
激光器系统的泵浦源和激光头之间由光纤进行连接，用户在使用或在运输过程中应确保光纤弯曲直径大于300mm。弯曲严重将导致的光纤折断和激光器系统不能正常工作。
防止灰尘污染
电源和激光头的光纤接入口在未与光纤连接的状态下，必须安装随系统提供的保护盖，防止外部灰尘污染内部光学元件。
光纤在未与电源和激光头连接的状态下，必须安装随系统提供的保护盖，防止光纤端面污染，（如果光纤端面已粘附灰尘，应使用洗耳球将光纤端面吹拭干净，若污染严重，激光打标机焦距，应使用沾有酒精和混合液的无尘纸擦拭干净）。未安装保护盖将使内部光学元件和光纤端面受到污染，将导致整个激光器系统不能正常工作，激光打标机定位，并失去保修。
激光打标机
新型激光器 两种高功率连续波化学激光器，3.8微米的氟激光器（DF）和1.315微米短波长氧碘激光器（COIL），日照激光打标机，均取得突破性进展，功率和光束质量仅次于美国，达到当前国际水平。 X射线激光方面，碰撞机制的类锗软X射线激光（波长为23.2纳米和23.6纳米）达到增益饱和并具有近衍射极限的光束质量，居水平；复合泵浦X射线激光研究获得一系列国际 报道的新谱线，并向短波长推进到4.68纳米。自由电子激光器和多波长可调谐激光也取得了可喜进展。
4.牌新晶体走向世界 我国发明的BBO、LBO晶体，以及KTP、钛宝石等晶体以优异的质量在国际市场享有盛誉并占有一定的份额。
1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率10（上标10）瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国一台多程片状放大器，把激光输出功率提高了10倍，中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理后，积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统，20w激光打标机，对充气玻壳靶照射，获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破，使我国的激光聚变研究进入世界行列，也为以后长期的持续发展奠定了基础。
2.激光研究 1966年12月，科委主持召开了激光规划会，48个单位130余人参加，会议制定了包括含15种激光整机、9种支撑配套技术的发展规划。虽未正式批准生效，但仍起了有益的推动作用。此后的几年内，这一领域涌现了一批重要成果。
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