边缘SU-8光刻胶去除边缘光刻胶珠粒去除步骤包括在旋涂之后去除晶片周围的光刻胶边缘珠粒。由于光刻胶的表面张力，出现边珠。正因为如此，光刻胶层在边缘较厚，高度即取决于光刻胶的粘度。特别是对非常粘稠的光致抗蚀剂，其中，所述边珠可以上升几个微米，它必须被除去。实际上，边缘珠粒会在曝光步骤期间阻止掩模尽可能靠近晶片，而这种间隙将导致设计中的分辨率损失。通常，边缘去除是通过当
