BASiC基半第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用 适用于充电桩直流快充电源模块的国产高可靠性碳化硅(SiC)MOSFET-倾佳电子分销 BASiC基半第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色： 1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。 BASiC基半第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测
