电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降，含杂质碳化硅根据其含杂质不同，导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性，碳化硅主要用于，现已研制出实用器件。
电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降，含杂质碳化硅根据其含杂质不同，碳化硅销售，导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性，现已研制出实用器件。
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，安徽碳化硅，也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟，应用广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，碳化硅现货供应，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。
研究碳化硅反应动力学的目的是大限度的去除脱氧产物。通常整个脱氧过程（降低钢种全氧的过程）主要可以分为几个过程，今天我们就来看看碳化硅脱氧的机理。
1.碳化硅的溶解与均匀化（在碳化硅加入钢液过程中要有大力搅拌的作用作为提高钢液溶解的速度，另外需要提高钢液的温度，减小铁合金的粒度）
2.碳化硅的化学反应效果（这个过程的反应速度相当的快，几乎和步同步进行）
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