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视频作者：广东至敏电子有限公司
CTR热敏电阻
临界温度热敏电阻CTR（Crit1Cal Temperature Resistor）具有负电阻突变特性，在某一温度下，电阻值随温度的增加激剧减小，热敏电阻，具有很大的负温度系数．构成材料是钒、钡、锶、磷等元素氧化物的混合烧结体，是半玻璃状的半导体，也称CTR为玻璃态热敏电阻．骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变．这是由于不同杂质的掺入，使氧化钒的晶格间隔不同造成的．若在适当的还原气氛中变成二氧化钒，则电阻急变温度变大；若进一步还原为三氧化二钒，则急变消失．产生电阻急变的温度对应于半玻璃半导体物性急变的位置，因此产生半导体-金属相移．热敏电阻器温度计的精度可以达到0.1℃，感温时间可少至10s以下．它不仅适用于粮仓测温仪，同时也可应用于食品储存、卫生、科学种田、海洋、深井、高空、冰川等方面的温度测量
从电路中可以看出，消磁线圈L1、消磁电阻R3和继电器K1常闭触点串联后，接在220V交流电路中，消磁电路由继电器K1控制是否投入消磁工作状态。而继电器K1的工作状态受VT1驱动管控制，VT1基级通过R1与微处理器A1的24脚消磁控制端相连，所以驱动管VT1受微处理器A1的24脚输出的高或低电平控制。
开机瞬间，A1的24脚输出一个约4.8V高电平信号，通过电阻R1加到VT1基级，VT1基级与地之间接有电容C1。由于电容C1两端电压不能突变，C1内部无电荷，这样VT1基级在开机瞬间仍然为0V，VT1仍然保持截止状态，继电器K1常闭触点仍然保持接通，这样消磁线圈L1和消磁电阻R3回路流有交流50Hz消磁电流，开始消磁。随着消磁电流流过PTC热敏电阻R3，零功率热敏电阻，其温度升高，阻值增大，且R3温度愈高阻值愈大，这样使的消磁线圈的电流幅度从大到小地衰减，完成对显像管开机时的消磁工作。
随着开机后微处理器A1的24脚输出高电平通过电阻R1对C1充电的进行，柱状测温型热敏电阻，由于R1和C1充电时间常数很大，这样VT1基级电压从0V上升的时间较长。当电容C1充电完毕，VT1基级为高电平，使VT1从截止转入导通状态。
VT1导通后，继电器K1动作，从常闭状态转换成常开状态，这时常闭触点断开，将消磁电阻R3和消磁线圈L1回路断电，消磁线圈L1中无电流流过，这时也是消磁完成的时刻，完成了消磁电路的切断控制。之后，电视机正常工作，消磁线圈L1中无电流，只是继电器K1中存在较小的维持电流，从而避免了普通彩色电视机在工作中消磁电阻一直处于微工作状态，这样可以延长PTC消磁电阻R3的使用寿命。
PTC热敏电阻
PTC（是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料．其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化
钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）．对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒．当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小．当温度升高到居里点温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应．钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释．
实验表明，在工作温度范围内，PTC热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：
RT=RT0expBp（T-T0）
式中RT、RT0表示温度为T、T0时电阻值，Bp为该种材料的材料常数．
PTC效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生显著变化．近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，这是体型且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加
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