半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。
干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，半导体氧化设备供应商，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，半导体设备，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。
随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，半导体氧化设备价格，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。
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