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[供应]微弧氧化电源设备-微弧氧化电源-日照微弧养护技术

更新时间:2024/7/25 1:19:42
微弧氧化电源设备-微弧氧化电源-日照微弧养护技术

相比MoO3,加入钼质量浓度相同的Na2MoO4所得膜层耐蚀性更佳,在添加0.42g/L Na2MoO4时制得膜层其腐蚀电流密度比无添加剂时的低约7倍,比基体的低约1个数量级。故加入Na2MoO4的价比更高。

此外,这2种添加剂的加入,均可在AZ91D镁合金表面制得浅棕色的膜层,起显色作用的物质是MoO2。








微弧氧化如何动电位极化曲线检测?

采用电化学工作站的三电极体系进行测试,测试前为了保证良好的导电性需将试样一面的陶瓷膜层打磨掉,微弧氧化电源设备,然后浸泡于质量分数为5%的NaCl水溶液中进行测试。动电位范围设置为-0.2V~+0.4V(相对于开路电位),微弧氧化电源原理,扫描速度为1mV/s。采用EchemAnalyst 软件对极化曲线进行Tafel 拟合得到电化学参数。



时间对微弧氧化封孔膜层增厚的影响

在其他工艺参数相同的情况下,不同封闭时间对陶瓷膜膜层增厚的影响。封闭时间较短时,微弧氧化电源监控,膜层增厚较少;随着时间的延长,膜层逐渐增厚;但是封闭时间过长,如封闭时间超过60min后,微弧氧化电源,膜层增厚并不显著,而且有下降的趋势。

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